选项SA1 (1GHz)现在是3系列MDO的标准配置。为了启用它,只需注册3系列MDO,它将生成一个新密钥来启用SA1选项。
MOSFET开关器件工作在导通和关断状态。在“开”状态下,开关的阻抗理论上为零,无论流过多少电流,开关都不会耗散功率。在“关”状态下,开关的阻抗理论上是无限的,因此没有电流流过,也没有功率耗散。
漏极-源极导通电阻(RDS)是MOSFET处于导通状态时漏极和源极之间的有效电阻。当施加特定的栅源电压(VGS)时,就会发生这种情况。一般来说,随着VGS的增大,导通电阻减小。MOSFET导通电阻越低越好,因为低电阻减少了不必要的功耗,提高了器件的功率效率。
此服务将提供一个USB闪存驱动器,其中包含升级程序文件和安装升级的说明。
500MHz及以下的型号也有一个原生75欧姆的输入终端——视频系统的原生阻抗。
MSO3x系列没有75欧姆输入
当测量整流交流的直流(平均值)含量时,必须将信号施加到DMM的直流输入端。
对于半波整流交流,直流含量或平均值为Vpeak / PI。例如,一个20.6V的RMS变压器连接到一个硅二极管,硅二极管连接到一个10k电阻。电阻器用于使足够的电流在二极管中流动,以在二极管上产生电压降并发生整流。
峰值电压为sqrt (2) * 20.6 = 29.1Vpk。二极管上的压降约为0.6V。DMM输入端的峰值电压为29.1 - 0.6 = 28.5Vpk。平均电压为28.5V / PI = 9.08VDC。我们将DMM量程设置为10V,将信号连接到DMM, DMM显示溢出。有些数字mm不够复杂,无法显示溢出。这些DMM可能显示错误的读数。为什么读取错误或溢出?
DMM的峰值电压为28.5V。DMM预计最大电压为10VDC。数字万用表的输入放大器变得饱和,导致精密数字万用表溢出或不那么精密的数字万用表测量误差。为了缓解这个问题,将范围从10V提高到100V。DMM上的读数现在是9.06VDC;非常接近期望值。
对于全波整流交流,平均或直流= 2 * Vpeak / PI。
在我们的例子中,我们期望直流电等于峰值电压的2倍,减去0.6V二极管压降全部除以PI。Dc = (2 * 29.1 - 0.6) / PI = 18.3vdc。在这种情况下,峰值电压28.5和直流等效电压18.3都在同一范围内。对于这个例子,当设定预期的直流测量范围时,我们不会遇到峰值电压使DMM输入饱和的问题。
MOSFET开关器件工作在导通和关断状态。在“开”状态下,开关的阻抗理论上为零,无论流过多少电流,开关都不会耗散功率。在“关”状态下,开关的阻抗理论上是无限的,因此没有电流流过,也没有功率耗散。
漏极-源极导通电阻(RDS)是MOSFET处于导通状态时漏极和源极之间的有效电阻。当施加特定的栅源电压(VGS)时,就会发生这种情况。一般来说,随着VGS的增大,导通电阻减小。MOSFET导通电阻越低越好,因为低电阻减少了不必要的功耗,提高了器件的功率效率。
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